16 de mai. de 2026 11:30 CEST
Nesta charla achegarémonos dunha maneira accesible ao mundo dos semicondutores aplicados a sistemas RF de alta potencia. A través de conceptos básicos como a oblea e os procesos de deseño e fabricación, construiremos unha visión clara do que hai detrás dun chip de altas prestacións.
Ao longo da sesión explicarase de forma intuitiva como se forman os transistores GaN e por que resultan especialmente axeitados para aplicacións esixentes. Tamén se introducirán elementos clave como os modelos de transistores RF e os PDKs, que permiten conectar a tecnoloxía de fabricación co deseño de circuítos MMIC.
Finalmente, veremos como estes dispositivos se integran en sistemas complexos, como os radares modernos, ofrecendo unha visión completa do percorrido tecnolóxico desde a oblea ata o sistema. Esta parte contextualizarase coa actividade desenvolvida en Indra, incluíndo o traballo do seu centro de innovación en Vigo e a participación en iniciativas como SPARC, orientadas ao desenvolvemento de capacidades estratéxicas en microelectrónica e tecnoloxías RF.
Unha charla divulgativa e ao mesmo tempo vinculada á experiencia industrial, da man de Rocío Moure , apoiada en exemplos visuais e comparacións que facilitan a comprensión.
Rocío Moure é enxeñeira de Telecomunicación e doutora pola Universidade de Vigo , en colaboración coa Universidade de Cardiff . Iniciou a súa traxectoria como investigadora en AtlantTIC , en Vigo, e posteriormente trasladouse a Belfast, no Reino Unido, onde traballou como enxeñeira de deseño de microondas e dispositivos en Iconic RF .
Máis adiante incorporouse a Microchip , centrando o seu traballo na caracterización e modelado de transistores GaN HEMT. Actualmente é a responsable de Procesos GaN e modelado RF en Indra , en Vigo, colaborando ademais coa posta en marcha dunha nova foundry europea na cidade.
Esta actividade está patrocinada pola Xunta de Galicia e pola Axencia Para a Modernización Tecnolóxica (AMTEGA).
